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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2008 [3]
2004 [1]
2001 [2]
1999 [1]
语种
英语 [7]
出处
SOLID STAT... [3]
2004 7TH I... [1]
APOC 2001:... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHOTONICS ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [7]
资助机构
SPIE.; Chi... [3]
China Natl... [1]
Chinese In... [1]
SPIE.; Chi... [1]
SPIE.; Nan... [1]
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High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan
Mocvd
Led
Nano-pattern
Sem
Hrxrd
Pl
Improvement of GaN-based light emitting diodes performance grown on sapphire substrates patterned by wet etching - art. no. 684107
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, A35 Qinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Pyramidal Patterned Substrate
Ingan/gan
Light-emitting Diode
Wet Etching
High-brightness GaN-based blue LEDs grown on a wet-patterned sapphire substrate - art. no. 68410T
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Zhang, Y
;
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan
Nitrides
Led
Mocvd
Patterned Sapphire Substrate
Wet Etching
Improved diphasic nc-si/a-si : H I-layer materials using PECVD
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Hao, HY
;
Zhang, SB
;
Xu, YY
;
Zeng, XB
;
Diao, HW
;
Kong, GL
;
Liao, XB
;
Hao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Condensed Matter Phys, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Open-circuit Voltage
Silicon Solar-cells
Amorphous-silicon
Absorption
A novel polarization-insensitive semiconductor optical amplifier structure with large 3dB bandwidth
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS:OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Zhang RY
;
Dong J
;
Zhou F
;
Zhu HL
;
Shu HY
;
Bian J
;
Wang LF
;
Tian HL
;
Wang W
;
Zhang RY Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spot-size Converter
Gain
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Liu HY
;
Xu B
;
Ding D
;
Chen YH
;
Zhang JF
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1258/319
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Molecular Beam Epitaxy
Nanomaterials
Inas Islands
Gaas
Growth
Gaas(100)
Thickness
Density
650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Chen LH
;
Ma XY
;
Guo L
;
Ma J
;
Ding HY
;
Cao Q
;
Wang LM
;
Zhang GZ
;
Yang YL
;
Wang GH
;
Tan MQ
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Dvd
Laser Diode
Visible
Algainp
Mocvd
Operation
Diodes