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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Ye XL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W;  Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ;  Chen YH;  Ye XL;  Huang XQ;  Liang LY;  Ding F;  Wang ZG;  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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