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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HS;  Liu, Y;  Zhang, HY;  Wu, SJ;  Jiang, CY;  Yu, JL;  Zhu, LP;  Li, Y;  Huang, W;  Chen, YH
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双色量子点及中波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  黄建亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, PF;  Ji, HM;  Xiao, JL;  Gu, YX;  Huang, YZ;  Yang, T
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利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
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