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| 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨晓杰; 马文全 ; 种明; 苏艳梅; 陈良惠
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| 两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠
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| 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171382.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘小宇; 马文全; 张艳华; 种明
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| 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠
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| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲
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| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人: 郭晓璐; 马文全; 张艳华
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| 一种II型III-V族量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人: 崔凯; 马文全; 张艳华
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华
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