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Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yan XJ;  Zhu HL;  Wang W;  Xu GY;  Zhou F;  Ma CH;  Wang XJ;  Tian HL;  Zhang JY;  Wu RH;  Wang QM;  Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Semi-insulating  Fe-doped  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Ding D;  Li HX;  Jiang C;  Zhou W;  Liu FQ;  Wang ZG;  Qiu XH;  Shang GY;  Bai CL;  Gong Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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