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| 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人: 朱建军
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| 空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 朱建军; 杨 辉; 王怀兵
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张爽; 赵德刚; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 王玉田; 段俐宏; 刘文宝; 江德生; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang LQ; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Zhang SM; Yang H; Zhang LQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn; hyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张立群; 张书明; 江德生; 朱建军; 赵德刚; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao DG; Jiang DS; Zhu JJ; Guo X; Liu ZS; Zhang SM; Wang YT; Yang H; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang LQ; Zhang SM; Jiang DS; Wang H; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Yang H; Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn; hyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun X; Jiang DS; Liu WB; Zhu JH; Wang H; Liu ZS; Zhu JJ; Wang YT; Zhao DG; Zhang SM; You LP; Ma RM; Yang H; Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn; dsjiang@red.semi.ac.cn
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