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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王志成;  徐波;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  石礼伟;  梁凌燕
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Jiang WH;  Liu FQ;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZM;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Gong Q;  Ding D;  Liu FQ;  Chen YH;  Jiang WH;  Ye XL;  Li YF;  Sun ZZ;  Zhang JF;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Bimodal Distribution  Photoluminescence (Pl)  Quantum-size Effect  Ge  Ensembles  Si(100)  Growth  Shape  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Wu J;  Ye XL;  Liu HY;  Zhou W;  Sun ZZ;  Li YF;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Gong Q;  Jiang WH;  Sun ZZ;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZM;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  龚谦;  梁基本;  徐波;  丁鼎;  王占国;  裘晓辉;  商广义;  白春礼
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周伟;  梁基本;  徐波;  龚谦;  李含轩;  刘峰奇;  姜卫红;  江潮;  许怀哲;  丁鼎;  张金福;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Ding D;  Li HX;  Jiang C;  Zhou W;  Liu FQ;  Wang ZG;  Qiu XH;  Shang GY;  Bai CL;  Gong Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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