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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
徐波 [2]
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李成明 [1]
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2003 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [1]
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation
Microwave packaging for 10 Gb/s EML modulators - art. no. 60201O
会议论文
Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, NOV 07-10, 2005
作者:
Liu, Y
;
Xie, L
;
Yuan, HQ
;
Zhang, JB
;
Zhu, NH
;
Sun, CZ
;
Xiong, B
;
Luo, B
;
Liu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Optoelectronic Devices
Electro-absorption Modulators
Microwave Packaging
Frequency Response
Design
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang ZY
;
Li CM
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spectrum
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Liu HY
;
Xu B
;
Ding D
;
Chen YH
;
Zhang JF
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Molecular Beam Epitaxy
Nanomaterials
Inas Islands
Gaas
Growth
Gaas(100)
Thickness
Density
Intelligent control of avalanched photodiode to get optimal state
会议论文
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SENSORS AND CONTROL TECHNIQUES (ICSC 2000), 4077, WUHAN, PEOPLES R CHINA, JUN 19-21, 2000
作者:
Zhang GB
;
Lin SM
;
Qu B
;
Hu GX
;
Liu WK
;
Wu S
;
Zhang GB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Avalanched Photodiodes
Intelligent Control
Singlechip Computer
Laser Radar
1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Chen B
;
Wang W
;
Wang XJ
;
Zhang JY
;
Zhu HL
;
Zhou F
;
Chen B Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
1.3 Mu m
Complex-coupled Grating
Dfb Laser