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高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人:  杨 涛;  季海铭 
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Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Ji;  HM;  Cao;  YL;  Xu PF;  Gu YX;  Ma WQ;  Liu Y;  Wang X;  Xie L;  Yang T;  Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Ji HM;  Yang T;  Cao YL;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Density-of-states  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji HM;  Cao YL;  Yang T;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  季海铭;  曹玉莲;  杨涛;  马文全;  曹青;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ;  Yang XJ;  Chong M;  Yang T;  Chen LH;  Shao J;  Lu X;  Lu W;  Song CY;  Uo HC;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang T;  Tatebayashi J;  Nishioka M;  Arakawa Y;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL;  Yang T;  Ji HM;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Cao YL Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang T;  Nishioka M;  Arakawa Y;  Yang T Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马文全;  杨晓杰;  种明;  苏艳梅;  杨涛;  陈良惠;  邵军;  吕翔
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