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| InN 掺Zn 纳米棒的生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 宋华平
 Adobe PDF(7388Kb) |  收藏 | 浏览/下载：910/77 | 提交时间：2010/06/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋海鹏; 温继敏; 陈城; 祝宁华
Adobe PDF(279Kb) | 收藏 | 浏览/下载：848/250 | 提交时间：2010/11/23 |
| 激光器发散角测量仪和测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-07-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 祝宁华; 宋海鹏; 刘戬; 袁海庆
Adobe PDF(455Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1001/163 | 提交时间：2009/06/11 |
| 高速半导体激光器在不同温度下的频响测试 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 宋海鹏
Adobe PDF(1404Kb) | 收藏 | 浏览/下载：664/46 | 提交时间：2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张丙元; 陈檬; 李港; 郭晓萍; 于海娟; 宋海平; 王勇刚
Adobe PDF(696Kb) | 收藏 | 浏览/下载：897/282 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋海鹏; 温继敏; 曾雄文; 张胜利; 孙建伟; 祝宁华
Adobe PDF(530Kb) | 收藏 | 浏览/下载：950/366 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李朝阳; 王勇刚; 黄骝; 宋海平
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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