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硅中离子注入硫属元素引入深能级的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  高利朋
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硅基近红外光电探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  胡少旭;  韩培德;  李辛毅;  毛雪;  高利朋
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