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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wei XC;  Huo ZQ;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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