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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭凯,裴为华,王宇,许冰,归强,李晓倩,杨宇,刘剑,陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Xiaoqian;  Pei, Weihua;  Gui, Qiang;  Guo, Kai;  Wang, Yu;  Wang, Kai;  Tang, Rongyu;  Chen, Hongda;  Pei, W.(peiwh@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王淑静;  裴为华;  张旭;  郭凯;  朱琳;  归强;  王宇;  陈弘达
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1228/463  |  提交时间：2010/11/23
带位置稳定结构的针状神经微电极 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈弘达;  朱琳;  张旭;  郭凯;  王淑静;  陈海峰
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1209/211  |  提交时间：2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1176/193  |  提交时间：2009/06/11
砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1187/161  |  提交时间：2009/06/11
利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1086/170  |  提交时间：2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1066/117  |  提交时间：2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1173/153  |  提交时间：2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1066/148  |  提交时间：2009/06/11