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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
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在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  丛伟光;  魏鸿源;  刘祥林
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生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  刘祥林;  董向芸;  魏宏源;  王占国
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用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  彭文琴;  吴洁君;  魏宏源;  刘祥林;  王占国
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掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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