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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [2]
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会议论文 [2]
发表日期
2004 [2]
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出处
2004 IST I... [1]
MICRON, 35... [1]
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其他 [1]
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IEEE. [1]
会议主办方: Wuh... [1]
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文献类型:会议论文
发表日期:2004
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Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer
Intense room temperature near infrared emission from Al (3+) and Yb3+ ions
会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:
Zhang JG
;
Cheng BW
;
Gao, JH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Fluorescence