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HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张宇;  王国伟;  汤宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川;  陈良惠
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“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  迂修;  张宇;  王国伟;  徐应强;  徐云;  宋国峰
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