SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共32条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2307/550  |  提交时间:2010/08/12
一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1456/296  |  提交时间:2010/03/19
一种氮化物材料的外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1287/239  |  提交时间:2010/03/19
一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1107/199  |  提交时间:2009/06/11
一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(541Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1067/215  |  提交时间:2009/06/11
一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1307/234  |  提交时间:2009/06/11
砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1436/178  |  提交时间:2009/06/11
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1540/189  |  提交时间:2009/06/11
利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张连;  丁凯;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1593/279  |  提交时间:2011/08/31
利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  丁凯;  张连;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1533/264  |  提交时间:2011/08/31