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一种II型III-V族量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人:  崔凯;  马文全;  张艳华
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一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  崔凯;  马文全;  张艳华
Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1025/117  |  提交时间：2014/11/17