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宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102148479A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  高卓;  王俊;  熊聪;  刘素平;  马骁宇
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