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High-Integrated-Photosensitivity Negative-Electron-Affinity GaAs Photocathodes with Multilayer Be-Doping Structures 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1692-1698
Authors:  Zhu ZP(朱占平);  Wang Xiaofeng;  Zeng Yiping;  Wang Baoqiang;  Zhu Zhanping;  Du Xiaoqing;  Li Min;  Chang Benkang
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MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 934
Authors:  曹昕;  曾一平;  孔梅影;  王保强;  潘量;  张??;  朱战萍
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温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 945
Authors:  李国华;  朱作明;  刘南竹;  韩和相;  汪兆平;  王杰;  王迅
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MBE生长InAs薄膜输运性质的研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 646
Authors:  周宏伟;  董建荣;  王红梅;  曾一平;  朱占萍;  潘量;  孔梅影
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低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 654
Authors:  周凯明;  李江;  李乙钢;  郭儒;  张光寅;  潘士宏;  李瑞钢;  朱战平;  梁基本
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808nmGaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 108
Authors:  朱东海;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  张隽;  龚谦;  李胜英;  王占国
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高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 391
Authors:  朱东海;  王占国;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  张隽;  龚谦;  金才政;  丛立方;  胡雄伟;  韩勤;  方祖捷;  刘斌;  屠玉珍
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(113)B-GaAs/As(0.3)Ga(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 832
Authors:  陈定钦;  邢益荣;  李国华;  朱勤生;  曹作萍;  张广泽;  肖君;  吴汲安;  钟战天
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高电子迁移率GaAs/AlxGa(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结结构参数优化研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 706
Authors:  杨斌;  王占国;  陈涌海;  梁基本;  廖奇为;  林兰英;  朱战萍;  徐波;  李伟
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低温分子束外延GaAs薄膜的研究 期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 317
Authors:  邓航军;  范缇文;  王占国;  梁基本;  朱战萍;  李瑞钢
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