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一种片状材料厚度测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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一种晶片工艺卡具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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多线切割载荷控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  佟存柱;  牛智川;  韩勤;  杜云;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, GW (Yang, Guowei);  Zhu, P (Zhu, Ping);  Wang, SJ (Wang, Shoujue);  Yang, GW, Qingdao Univ, Inst Pattern Recognit & Intelligent Syst, Qingdao 266071, Peoples R China. 电子邮箱地址: ygw_ustb@l63.com;  zptl2002@yahoo.com.cn;  wsjue@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S (Liang S.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Wang W (Wang W.);  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Zhang T (Zhang Tao);  Zhang YL (Zhang Ya Li);  Xu GZ (Xu Gui Zhi);  Wen JM (Wen Ji Min);  Huang HP (Huang Heng Pei);  Liu Y (Liu Yu);  Xie L (Xie Liang);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(164Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：947/403  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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