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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Pan JQ;  Wang Y;  Zhou F;  Wang BJ;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Cheng YB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn;  wwang@semi.ac.cn
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电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪洋;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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一种制备高速电吸收调制器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225782.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张伟;  潘教青;  汪洋;  朱洪亮
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