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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
 Adobe PDF(470Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1076/281 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周志文; 贺敬凯; 王瑞春; 李成; 余金中
Adobe PDF(467Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1173/295 | 提交时间：2011/08/16 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(573Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1489/287 | 提交时间：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(550Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1430/257 | 提交时间：2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
Adobe PDF(357Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1263/349 | 提交时间：2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(621Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1235/190 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(752Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1248/150 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(753Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1118/168 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
Adobe PDF(728Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1276/412 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lin GJ (Gui-Jiang, Lin); Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen); Lai HK (Lai Hong-Kai); Li C (Li Cheng); Chen SY (Chen Song-Yan); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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