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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  阎Zhou HY (Zhou Huiying);  Qu SC (Qu Shengchun);  Jin P (Jin Peng);  Xu B (Xu Bo);  Ye XL (Ye Xiaoling);  Liu JP (Liu Junpeng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2478/490  |  提交时间：2011/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BC (Cheng Baochang);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zhou HY (Zhou Huiying);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Cheng, BC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bcheng@vip.sina.com
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