中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1599/365  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Zhang HY;  Zhou GY;  Li TF;  Liu JQ;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(1941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1621/395  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Li TF;  Zhou GY;  Zhang HY;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(2010Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1431/281  |  提交时间：2011/07/05
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1401/234  |  提交时间：2009/06/11
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1549/236  |  提交时间：2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1423/216  |  提交时间：2009/06/11
利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1146/183  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Zhou W;  Ding D;  Jiang WH;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(248Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：917/249  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁基本;  徐波;  龚谦;  韩勤;  周伟;  姜卫红;  刘会云;  王占国
Adobe PDF(109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1102/306  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Wu J;  Ye XL;  Liu HY;  Zhou W;  Sun ZZ;  Li YF;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：884/244  |  提交时间：2010/08/12