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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun L;  Zhou WZ;  Yu GL;  Shang LY;  Gao KH;  Zhou YM;  Lin T;  Cui LJ;  Zeng YP;  Chu JH;  Sun L Chinese Acad Sci Shanghai Inst Tech Phys Natl Lab Infrared Phys Shanghai 200083 Peoples R China. E-mail Address: yug@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye T;  Zhou YF;  Yan C;  Li YT;  Su YK;  Ye T Shanghai Jiao Tong Univ Dept Elect Engn State Key Lab Adv Opt Commun Syst & Networks Shanghai 200240 Peoples R China. E-mail Address: yetong@sjtu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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