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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2009 [5]
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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:
汤宝
;
周志强
;
郝瑞亭
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:
周志强
;
郝瑞亭
;
汤 宝
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun L
;
Zhou WZ
;
Yu GL
;
Shang LY
;
Gao KH
;
Zhou YM
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Chu JH
;
Sun L Chinese Acad Sci Shanghai Inst Tech Phys Natl Lab Infrared Phys Shanghai 200083 Peoples R China. E-mail Address: yug@mail.sitp.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye T
;
Zhou YF
;
Yan C
;
Li YT
;
Su YK
;
Ye T Shanghai Jiao Tong Univ Dept Elect Engn State Key Lab Adv Opt Commun Syst & Networks Shanghai 200240 Peoples R China. E-mail Address: yetong@sjtu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郭杰
;
彭震宇
;
鲁正雄
;
孙维国
;
郝瑞亭
;
周志强
;
许应强
;
牛智川
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提交时间:2010/11/23