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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, H (Zhu Hui);  Zheng, HZ (Zheng Hou-Zhi);  Li, GR (Li Gui-Rong);  Tan, PH (Tan Ping-Heng);  Gan, HD (Gan Hua-Dong);  Xu, P (Xu Ping);  Zhang, F (Zhang Fei);  Zhang, H (Zhang Hao);  Xiao, WB (Xiao Wen-Bo);  Sun, XM (Sun Xiao-Ming);  Zhu, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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