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| 红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐云; 陈良惠; 张玉芳; 宋国峰; 李玉璋; 种明; 郑婉华; 曹青
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| 检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 何国荣; 郑婉华; 杨国华; 石岩; 渠红伟; 宋国锋; 陈良惠
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| 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 何国荣; 渠红伟; 郑婉华; 杨国华; 宋国锋; 陈良惠
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| 多功能半导体晶片键合装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨国华; 何国荣; 石岩; 宋国峰; 郑婉华; 陈良惠
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| 光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈海波; 李兆峰; 陈建军; 杨富华; 封松林; 郑厚植
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| 利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨国华; 何国荣; 宋国锋; 石岩; 郑婉华; 陈良惠
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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