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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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作者: Zhang H; Zheng HZ; Xu P; Peng HL; Tan PH ; Yang FH; Ni HQ; Zeng YX; Gan HD; Zhu H; Zhang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghao@red.semi.ac.cn
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作者: 刘宇; 谢亮; 袁海庆; 张家宝; 祝宁华; 孙长征; 熊兵; 罗毅
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作者: 彭红玲; 章昊; 韩勤; 杨晓红; 杜云; 倪海桥; 佟存柱; 牛智川; 郑厚植; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐晓华; 牛智川; 倪海桥; 徐应强; 张纬; 贺正宏; 韩勤; 吴荣汉; 江德生
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