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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美 ; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 电磁阀 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 焦春美; 赵风瑷
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋倩; 许兴胜; 赵致民; 刘发民; 陈弘达
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| 原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美
Adobe PDF(560Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1069/167 | 提交时间：2009/06/11 |
| InP 基半导体量子点、量子线的分子束外延生长、表征及生长机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 赵凤瑷
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱天伟; 徐波; 何军; 赵凤瑷; 张春玲; 谢二庆; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵凤瑷; 张春玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵凤瑷; 张春玲; 王占国
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