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半导体纳米结构的液滴外延生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  赵超
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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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半导体量子点生长的动力学蒙特卡罗模拟研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  赵昶
Adobe PDF(2816Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：877/20  |  提交时间：2009/04/13
紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102141736A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑凯;  赵懿昊;  李全宁;  熊聪
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