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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1074/178  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1110/379  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ren YY;  Zhao C;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Jin P;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Ren YY;  Xu B;  Jin P;  Zhao C;  Wang ZG;  Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: cxcui@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu LK;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Zhao C;  Sun J;  Ding F;  Hu LJ;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yulike@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Xu B;  Jin P;  Wang YL;  Zhao C;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Zhao C;  Jin P;  Shi GX;  Wang YL;  Xu B;  Wang ZG;  Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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