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生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  董志远;  赵有文;  杨 俊;  段满龙 
Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1578/242  |  提交时间：2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li H;  Wang Z;  Zhou K;  Pang JB;  Ke JY;  Zhao YW;  Wang Z Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. E-mail Address: wangz@whu.edu.cn
Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1118/278  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(154Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：975/381  |  提交时间：2010/03/08
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Zhao, YW;  Zhang, F;  Zhang, R;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1858/527  |  提交时间：2010/03/09
Zinc Oxide  Defect  Vacancy  
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  X-ray Diffraction  Defects  Single Crystal  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xcwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1562/681  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王柱;  柯君玉;  李辉;  庞锦标;  戴益群;  赵有文
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