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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, SB;  He, Z;  Zheng, L;  Liu, B;  Zhang, F;  Dong, L;  Tian, LX;  Shen, ZW;  Wang, JZ;  Huang, YJ;  Fan, ZC;  Liu, XF;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Sun, GS;  Yang, FH;  Zeng, YP
Adobe PDF(856Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：713/141  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, L;  Sun, GS;  Zheng, L;  Liu, XF;  Zhang, F;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, XG;  Wang, ZG
Adobe PDF(654Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：902/260  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Liu XF;  Wu HL;  Yan GG;  Dong L;  Zheng L;  Zhao WS;  Wang L;  Zeng YP;  Li XG;  Wang ZG;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. gshsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1390/320  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Yang T (Yang Ting);  Wu HL (Wu Hai-Lei);  Yan GG (Yan Guo-Guo);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Ning J (Ning Jin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li JM (Li Jin-Min)
Adobe PDF(185Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/314  |  提交时间：2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SL;  Chen L;  Meng KK;  Xu PF;  Meng HJ;  Lu J;  Yan WS;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(641Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1164/268  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng KK;  Wang SL;  Xu PF;  Chen L;  Yan WS;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(665Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1339/360  |  提交时间：2011/07/05
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1636/274  |  提交时间：2010/03/09
In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1878/307  |  提交时间：2010/03/09
Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Ning, J;  Liu, XF;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(4488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：978/232  |  提交时间：2010/03/08
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Ji, G;  Sun, GS;  Ning, J;  Liu, XF;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1783Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1353/225  |  提交时间：2010/03/09