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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Indium Phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Semiinsulating Inp
Indium-phosphide
Fe
Photoluminescence
Temperature
Determination of the interdiffusion coefficients of liquid Zn and Sn using Ta/Zn-Sn/Si trilayers
会议论文
DIFFUSIONS IN MATERIALS: DIMAT2000, PTS 1 & 2, 194-1, PARIS, FRANCE, JUL 17-21, 2000
作者:
Wang WK
;
Zhao JH
;
Wang WK Chinese Acad Sci Inst Phys POB 60334 Beijing 100080 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Convection-less Condition
Liquid Metal Diffusion
Solid/liquid-liquid/solid Trilayer
Circular crating optical scanning holography
会议论文
DIFFRACTIVE/HOLOGRAPHIC TECHNOLOGIES AND SPATIAL LIGHT MODULATORS VII, 3951, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:
Liang WG
;
Liu SY
;
Xie JH
;
Zhao DZ
;
Liang WG Acad Sinica Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Circular Grating
Scanning
Holography
Simulation
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
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Films