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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong-Yue Han;  Hui-Jie Li;  Gui-Juan Zhao;  Hong-Yuan Wei;  Shao-Yan Yang;  Lian-Shan Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jian-Xia Wang;  Lian-Shan Wang;  Qian Zhang;  Xiang-Yue Meng;  Shao-Yan Yang;  Gui-Juan Zhao;  Hui-Jie Li;  Hong-Yuan Wei;  Zhan-Guo Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Jing;  Zhao, Hui-Yan;  Liu, Ying
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
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大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
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AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
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一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  孔苏苏;  李辉杰;  冯玉霞;  赵桂娟;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:516/3  |  提交时间:2016/08/30