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非极性 InGaN 薄膜的生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  赵桂娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘鹏飞;  刘国军;  王永杰;  赵强;  李芳
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一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  卢国军;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  杨辉
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