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转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  谢海忠;  郭恩卿;  马平;  张韵;  王军喜;  李晋闽
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倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  谢海忠;  梁萌;  马平;  张韵;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(510Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：619/2  |  提交时间：2016/08/30