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利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  蔡芳芳;  范海波;  张攀峰;  刘祥林 
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1400/249  |  提交时间：2010/03/19
δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1298/207  |  提交时间：2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1236/138  |  提交时间：2009/06/11
ZnO 薄膜生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  张攀峰
Adobe PDF(3810Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：704/27  |  提交时间：2009/04/13
氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  丛伟光;  魏鸿源;  刘祥林
Adobe PDF(579Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1179/214  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG (Hu Wei-Guo);  Liu, XL (Liu Xiang-Lin);  Zhang, PF (Zhang Pan-Feng);  Zhao, FA (Zhao Feng-Ai);  Jiao, CM (Jiao Chun-Mei);  Wei, HY (Wei Hong-Yuan);  Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing);  Wu, JJ (Wu Jie-Jun);  Cong, GW (Cong Guang-Wei);  Pan, Y (Pan Yi);  Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1484/399  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：7387/2875  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Hu WG (Hu Wei-Guo);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhau-Guo);  Liu, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@semi.ac.cn
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一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  吴洁君;  胡卫国;  刘祥林
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