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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, JX;  Wang, LS;  Yang, SY;  Li, HJ;  Zhao, GJ;  Zhang, H;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(691Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：859/206  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, YX;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhang, H;  Kong, SS;  Zhao, GJ;  Liu, XL
Adobe PDF(1897Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：438/47  |  提交时间：2015/03/25
制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  杨少延;  张恒;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：664/79  |  提交时间：2014/11/05
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：893/98  |  提交时间：2014/10/29
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：749/33  |  提交时间：2014/10/28
制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/105  |  提交时间：2014/10/24
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：638/1  |  提交时间：2016/09/12