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利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张连;  丁凯;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  羊建坤;  魏同波;  霍自强;  张勇辉;  胡强;  段瑞飞;  王军喜
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提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  姬小利;  闫建昌;  郭金霞;  张连;  杨富华;  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  张硕;  段瑞飞;  何志;  魏同波;  张勇辉;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  安平博;  张硕;  赵丽霞;  段瑞飞;  路红喜;  王军喜;  李晋闽
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一种氮化物外延装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  张硕;  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
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