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利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  蔡芳芳;  范海波;  张攀峰;  刘祥林 
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1192/188  |  提交时间：2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Cai FF;  Sun GS;  Fan HB;  Zhang PF;  Wei HY;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbaoli@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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A 5GHz low power WLAN transceiver SiGe RFIC for personal communication terminal applications 会议论文
2007 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, Long Beach, CA, JAN 10-12, 2007
作者:  Yan, J (Yan, Jun);  Xu, QM (Xu, Qiming);  Zhang, XL (Zhang, Xuelian);  Hu, XQ (Hu, Xueqing);  Xu, H (Xu, Hua);  Shi, Y (Shi, Yin);  Dai, FF (Dai, Fa Foster);  Yan, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SemiRF Lab, ISCAS, Beijing 100083, Peoples R China.
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Personal Communication Terminal  Sige Rfic  Wlan 802.11a Transceiver  
Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical Microscopy  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Sapphire  Deposition  Films  
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Low-temperature Growth  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：863/266  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Heteroepitaxial Growth  Hydrocarbon Radicals  Si(001) Surface  Beam  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(160Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：798/207  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Lin LY;  Zhang FF;  Wang YS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,Beijing 100083,Peoples R China.
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