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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张兴旺;  吴金良;  付振;  张汉
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一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  张宁;  魏学成;  刘桂鹏;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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一种提高发光效率的LED结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  张宁;  任鹏;  刘喆;  李晋闽;  王军喜
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一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  黄北举;  程传同;  张赞;  张赞允;  陈弘达
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采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人:  黄北举;  张赞;  张赞允;  程传同;  毛旭瑞;  陈弘达
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采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄北举;  张赞;  张赞允;  陈弘达
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基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  陈弘达;  张赞允;  黄北举;  张赞
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电可调谐光栅耦合器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  陈弘达;  张赞允;  黄北举;  张赞
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基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:  黄北举;  张赞;  张赞允;  陈弘达
Adobe PDF(441Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:602/95  |  提交时间:2014/10/24