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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng WB;  Liu SY;  Xiao HB;  Zhang CS;  Shi MJ;  Zeng XB;  Xu YY;  Kong GL;  Yu YD;  Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xbzeng@semi.ac.cn;  yyxu@semi.ac.cn
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平板式电极结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刁宏伟;  廖显伯;  曾湘波;  郝会颖;  徐艳月;  张世斌;  胡志华
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基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  王章涛;  陈媛媛;  李艳萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, XM;  Wang, YG;  Liu, YY;  Lan, YS;  Lin, T;  Wang, J;  Wang, XW;  Fang, GZ;  Ma, XY;  Zhang, ZG;  Feng, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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半导体激光器腔面钝化的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘斌;  刘媛媛;  张敬明;  马骁宇
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Improved diphasic nc-si/a-si : H I-layer materials using PECVD 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Hao, HY;  Zhang, SB;  Xu, YY;  Zeng, XB;  Diao, HW;  Kong, GL;  Liao, XB;  Hao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Condensed Matter Phys, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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Open-circuit Voltage  Silicon Solar-cells  Amorphous-silicon  Absorption  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  余金中;  陈少武;  夏金松;  王章涛;  樊中朝;  李艳萍;  刘敬伟;  杨笛;  陈媛媛
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Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang SB;  Liao XB;  Xu YY;  Hu ZH;  Zeng XB;  Diao HW;  Luo MC;  Kong G;  Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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Polymorphous Silicon  Light-scattering  Thin-films  Si  Microcrystallinity  Absorption  States  
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zeng XB;  Liao XB;  Diao HW;  Hu ZH;  Xu YY;  Zhang SB;  Chen CY;  Chen WD;  Kong GL;  Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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Laser-ablation  Semiconductor Nanowires  Growth  Mechanism  Evaporation  Diameter  Wires  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu YY;  Kong GL;  Zhang SB;  Hu ZH;  Zeng XB;  Diao HW;  Liao XB;  Xu YY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(156Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：938/266  |  提交时间：2010/08/12