|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 张希林
 Adobe PDF(3611Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1379/570 | 提交时间：2014/05/30 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia, C.H.; Chen, Y.H.; Zhang, B.; Liu, X.L.; Yang, S.Y.; Zhang, W.F.; Wang, Z.G.; Chen, Y.H.(yhchen@red.semi.ac.cn)
Adobe PDF(512Kb) | 收藏 | 浏览/下载：914/310 | 提交时间：2012/06/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gao, Y.; Zhang, X.W.; Yin, Z.G.; Si, F.T.; Bai, Y.M.; Zhang, X.L.; Qu, S.; Wang, Z.G.; Zhang, X. W.(xwzhang@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1347Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1126/326 | 提交时间：2012/06/14 |
| 提高聚合物太阳电池效率的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010554257.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 谭海仁; 张兴旺 ; 高红丽; 白一鸣; 张秀兰; 尹志岗
Adobe PDF(405Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1596/278 | 提交时间：2011/08/31 |
| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德
Adobe PDF(285Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1340/221 | 提交时间：2011/08/31 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
Adobe PDF(582Kb) | 收藏 | 浏览/下载：873/103 | 提交时间：2014/12/25 |
| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
Adobe PDF(894Kb) | 收藏 | 浏览/下载：662/79 | 提交时间：2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：893/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(822Kb) | 收藏 | 浏览/下载：839/85 | 提交时间：2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(1880Kb) | 收藏 | 浏览/下载：749/33 | 提交时间：2014/10/28 |
