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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP ; Yang AL; Zhang RQ; Guo Y; Wei HY; Zheng GL; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Song HP Chinese Acad Sci Kev Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP; Yang AL; Wei HY; Guo Y; Zhang B; Zheng GL; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Yang TY; Wang HH; Song HP Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xing HY; Fan GH; Zhang Y; Zhao DG; Fan GH S China Normal Univ Inst Optoelect Mat & Technol Guangzhou 510631 Guangdong Peoples R China. E-mail Address: hy.xing@yahoo.com.cn; gfan@scnu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gao HY; Yan FW; Zhang Y; Li JM; Zeng YP; Wang JX; Gao HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hygao2005@yahoo.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邢海英; 范广涵; 章勇; 赵德刚
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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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