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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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提交时间:2015/04/02
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Zhang, H
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Yang, SY
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Liu, GP
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Wang, JX
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Jin, DD
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Li, HJ
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Liu, XL
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Zhu, QS
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提交时间:2015/05/11
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提交时间:2015/03/25
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提交时间:2015/03/25
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Cheng, XN
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提交时间:2013/03/17
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提交时间:2012/02/22
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
;
谷承艳
;
魏鸿源
;
刘祥林
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朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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提交时间:2014/10/29