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高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  温正欣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  孙文荣;  段满龙;  杨子祥;  吕旭如
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磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  段满龙;  孙文荣;  杨子祥;  焦景华;  赵建群;  曹慧梅;  吕旭如
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马智训;  廖显伯;  何杰;  程文超;  岳国珍;  王永谦;  刁宏伟;  孔光临
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马智训;  廖显伯;  程文超;  岳国珍;  王永谦;  何杰;  孔光临
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马智训;  廖显伯;  何杰;  程文超;  岳国珍;  王永谦;  刁宏伟;  孔光临
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