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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Z. Fu; Z. G. Yin; X. W. Zhang; N. F. Chen; Y. J. Zhao; Y. M. Bai; D. Y. Zhao; H. F. Zhang; Y. D. Yuan; Y. N. Chen; J. L. Wu; J. B. You Adobe PDF(2138Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:157/0  |  提交时间:2018/05/30 |
| 铁酸铋外延薄膜相结构的应力调控 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2014 作者: 付振 Adobe PDF(7010Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1213/25  |  提交时间:2014/12/01 Bifeo3 晶体对称性 晶格失配 应力弛豫 晶畴旋转 相变 非易失存储 |
| 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 尹志岗; 张兴旺; 吴金良; 付振; 张汉 Adobe PDF(481Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1163/202  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备T相BiFeO3薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29 发明人: 赵亚娟; 尹志岗; 张兴旺; 付振; 吴金良 Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:783/91  |  提交时间:2014/11/05 |
| 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-04 发明人: 付振; 尹志岗; 张兴旺; 赵亚娟; 陈诺夫; 吴金良 Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:786/84  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:580/0  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:644/0  |  提交时间:2016/09/29 |
| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:462/3  |  提交时间:2016/09/28 |