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| 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 尹志岗; 张兴旺; 吴金良; 付振; 张汉
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| 制备T相BiFeO3薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 赵亚娟; 尹志岗; 张兴旺; 付振; 吴金良
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| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
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| 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-04
发明人: 付振; 尹志岗; 张兴旺; 赵亚娟; 陈诺夫; 吴金良
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| 基于核壳结构的热电器件制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 王晓东; 季安; 杨富华
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| 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 祁洋洋; 张明亮; 王珍; 王晓东; 杨富华
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| 面向片上集成的热电器件制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-15
发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 杨富华; 王晓东
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| 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 祁洋洋; 张明亮; 王珍; 王晓东; 杨富华
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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